规格书 |
MPSW92 |
文档 |
Multiple Devices 30/Jun/2006 |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
产品更改通知 | Discontinuation 30/Jun/2006 |
标准包装 | 2,000 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 300V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 500mV @ 2mA, 20mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 25 @ 30mA, 10V |
功率 - 最大 | 1W |
频率转换 | 50MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body Formed Leads |
供应商器件封装 | TO-92 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
集电极最大直流电流 | 0.5 |
最小直流电流增益 | 25@1mA@10V|40@10mA@10V|25@30mA@10V |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-92 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 1000 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 50(Min) |
封装 | Tape and Reel |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 300 |
供应商封装形式 | TO-92 |
最大集电极发射极电压 | 300 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Formed |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 500mA |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 50MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 500mV @ 2mA, 20mA |
标准包装 | 2,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 300V |
供应商设备封装 | TO-92 |
功率 - 最大 | 1W |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body Formed Leads |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 25 @ 30mA, 10V |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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